MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STH12N120K5-2AG, VDSS 1.2 kV, ID 7 A, Mejora, Cinta y carrete de 3 pines

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Código RS:
261-5047
Referência do fabricante:
STH12N120K5-2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Encapsulado

Cinta y carrete

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.9Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

36nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.7mm

Anchura

10.4mm

Longitud

15.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical patentada. El resultado es una reducción dramática de la resistencia de conexión y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.

Certificación AEC-Q101

RDS(on) x área más baja del sector

El mejor FoM (cifra de mérito) del sector

Carga de puerta ultrabaja

100 % probado contra avalanchas

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