MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 7 A, Mejora, Cinta y carrete de 3 pines
- Código RS:
- 261-5046
- Referência do fabricante:
- STH12N120K5-2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
8 222,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 26 de janeiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 8,222 € | 8 222,00 € |
| 2000 - 2000 | 8,012 € | 8 012,00 € |
| 3000 + | 7,811 € | 7 811,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 261-5046
- Referência do fabricante:
- STH12N120K5-2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Altura | 4.7mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.8mm | ||
Altura 4.7mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical patentada. El resultado es una reducción dramática de la resistencia de conexión y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Certificación AEC-Q101
RDS(on) x área más baja del sector
El mejor FoM (cifra de mérito) del sector
Carga de puerta ultrabaja
100 % probado contra avalanchas
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH12N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 7 A, Mejora, Cinta y carrete de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD80N450K6, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH12N120K5-2, VDSS 1200 V, ID 12 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH2N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 1.5 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines