MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

12,31 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 207 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 912,31 €
10 - 9911,69 €
100 - 24911,11 €
250 - 49910,55 €
500 +10,02 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
261-5040
Referência do fabricante:
SCT040HU65G3AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

10A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

Cinta y carrete

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

3.5mm

Longitud

18.58mm

Anchura

14 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
JP
El dispositivo MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando el avanzado e innovador 3er tecnología MOSFET SiC de generación. El dispositivo dispone de un RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas combinado con capacitancias bajas y operaciones de conmutación muy altas, que mejoran el rendimiento de la aplicación en frecuencia, eficiencia energética, tamaño del sistema y reducción de peso.

Certificación AEC-Q101

RDS(on) muy bajo en todo el rango de temperaturas

Rendimiento de conmutación de alta velocidad

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Contacto de detección de fuente para mayor eficiencia

Links relacionados