MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD80N450K6, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete
- Código RS:
- 261-5045
- Referência do fabricante:
- STD80N450K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
3,67 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 218 unidade(s) a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,67 € |
| 10 - 99 | 3,49 € |
| 100 - 249 | 3,31 € |
| 250 - 499 | 3,14 € |
| 500 + | 2,99 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 261-5045
- Referência do fabricante:
- STD80N450K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 800V | |
| Encapsulado | Cinta y carrete | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 380mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17.3nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 800V | ||
Encapsulado Cinta y carrete | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 380mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17.3nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics está diseñado utilizando la tecnología MDmesh K5 basada en una innovadora estructura vertical patentada. El resultado es una reducción dramática de la resistencia de conexión y una carga de puerta ultrabaja para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia.
Mejor RDS(on) x área del mundo
Mejor FOM (cifra de mérito) del mundo
Carga de puerta ultrabaja
Prueba de avalancha al 100 %
Protección Zener
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT040HU65G3AG, VDSS 800 V, ID 10 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT055HU65G3AG, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, Cinta y carrete de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 1200 V, ID 7 A, Mejora, Cinta y carrete de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH12N120K5-2AG, VDSS 1200 V, ID 7 A, Mejora, Cinta y carrete de 3 pines
- MOSFET STMicroelectronics, VDSS 750 V, ID 15 A, Mejora, Carrete de 4 pines