MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60R065S7XTMA1, VDSS 600 V, ID 126 A, N, HDSOP
- Código RS:
- 260-1204
- Referência do fabricante:
- IPDQ60R065S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 260-1204
- Referência do fabricante:
- IPDQ60R065S7XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 126A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 195W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 15.1 mm | |
| Altura | 2.35mm | |
| Longitud | 15.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 126A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 195W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 15.1 mm | ||
Altura 2.35mm | ||
Longitud 15.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon permite el mejor rendimiento de precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. CoolMOS S7 cuenta con los valores de Rdson más bajos para un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo de eficiencia energética. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de "conmutación estática" y alta corriente. Es ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores.
Capacidad de corriente de impulso alta
Mayor rendimiento del sistema
Diseño más compacto y sencillo
BOM y/o TCO inferiores durante un tiempo de vida útil prolongado
Resistencia a golpes y vibraciones
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