MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPDQ60R010S7AXTMA1, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines
- Código RS:
- 225-0578
- Referência do fabricante:
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 225-0578
- Referência do fabricante:
- IPDQ60R010S7AXTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | IPDQ60R010S7A | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 22 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 318nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 694W | |
| Tensión directa Vf | 0.82V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.1mm | |
| Anchura | 2.35 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 21.06mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie IPDQ60R010S7A | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 22 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 318nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 694W | ||
Tensión directa Vf 0.82V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.1mm | ||
Anchura 2.35 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 21.06mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon IPDQ60R010S7A es un MOSFET de alimentación de alta tensión diseñado como interruptor estático conforme al principio de superunión (SJ). El mosfet combina la experiencia del proveedor líder de MOSFET SJ con una innovación de alta clase que permite un bajo nivel de RDS (ON) en encapsulado QDPAK. La serie S7A está optimizada para conmutación de baja frecuencia y alta corriente. aplicación como disyuntores.
Minimiza las pérdidas de conducción
Aumenta la eficiencia energética
Diseños más compactos y sencillos
Menor coste de TCO o coste de BOM
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