MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 50 A, N, HDSOP de 22 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 750 unidades)*

8 461,50 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 27 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
750 +11,282 €8 461,50 €

*preço indicativo

Código RS:
225-0579
Referência do fabricante:
IPDQ60R010S7XTMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPDQ60R010S7

Encapsulado

HDSOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

22

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

318nC

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

694W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

21.06mm

Anchura

2.35 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

15.1mm

Estándar de automoción

No

El Infineon IPDQ60R010S7 es el MOSFET de potencia de canal N y ofrece el mejor rendimiento para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. El MOSFET está optimizado para aplicaciones de conmutación estática y alta corriente. Es una solución ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de forro en SMPS y topologías de inversor.

Minimiza las pérdidas de conducción

Aumenta la eficiencia energética

Diseños más compactos y sencillos

Elimina o reduce los disipadores de calor en el diseño de estado sólido

Links relacionados

Recently viewed