MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 375 A, N, HDSOP

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Código RS:
260-1199
Referência do fabricante:
IPDQ60R022S7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

375A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPD

Encapsulado

HDSOP

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

0.82V

Disipación de potencia máxima Pd

416W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

150nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon permite el mejor rendimiento de precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. CoolMOS S7 cuenta con los valores de Rdson más bajos para un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo de eficiencia energética. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de "conmutación estática" y alta corriente. Es ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores.

Capacidad de corriente de impulso alta

Mayor rendimiento del sistema

Diseño más compacto y sencillo

BOM y/o TCO inferiores durante un tiempo de vida útil prolongado

Resistencia a golpes y vibraciones

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