MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 126 A, N, HDSOP

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Código RS:
260-1203
Referência do fabricante:
IPDQ60R065S7XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

126A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

HDSOP

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

195W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

0.82V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

15.1 mm

Altura

2.35mm

Longitud

15.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon permite el mejor rendimiento de precio para aplicaciones de conmutación de baja frecuencia. CoolMOS S7 cuenta con los valores de Rdson más bajos para un MOSFET HV SJ, con un aumento distintivo de eficiencia energética. CoolMOS S7 está optimizado para aplicaciones de "conmutación estática" y alta corriente. Es ideal para diseños de relés de estado sólido y disyuntores, así como para rectificación de línea en topologías de SMPS e inversores.

Capacidad de corriente de impulso alta

Mayor rendimiento del sistema

Diseño más compacto y sencillo

BOM y/o TCO inferiores durante un tiempo de vida útil prolongado

Resistencia a golpes y vibraciones

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