Referência do fabricante

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6646TRPBF, VDSS 80 V, ID 68 A, WDSON

Código RS:: 258-3963
Referência do fabricante:: IRF6646TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6646TRPBF, VDSS 80 V, ID 68 A, WDSON

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

4,34 €

Informações de stock atualmente inacessíveis - Verifique novamente mais tarde

Unidad(es)	Por unidade	Por Embalagem*
2 - 18	2,17 €	4,34 €
20 - 48	1,955 €	3,91 €
50 - 98	1,825 €	3,65 €
100 - 198	1,70 €	3,40 €
200 +	1,59 €	3,18 €

*preço indicativo

Código RS:: 258-3963
Referência do fabricante:: IRF6646TRPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.

Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	68A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	80V
	Encapsulado	WDSON
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	9.5mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Tensión directa Vf	1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	36nC
	Disipación de potencia máxima Pd	89W
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	No

	Selecionar tudo
	Marca Infineon
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 68A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V
	Encapsulado WDSON
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Superficie
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.5mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Tensión directa Vf 1.3V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC
	Disipación de potencia máxima Pd 89W
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción No

Datasheet - IRF6646TRPBF

La tecnología de silicio de MOSFET de potencia HEXFET de Infineon con encapsulado DirectFETTM avanzado para lograr la resistencia de estado activo más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de un SO-8 y solo 0,7 mm de perfil. El encapsulado DirectFET es compatible con las geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje en PCB y técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o convección. Se sigue la nota de aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación.

MOSFET específicos de aplicación

Ideal para convertidor aislado de alto rendimiento

Conector hembra de interruptor primario

Optimizado para rectificación síncrona

Pérdidas de conducción bajas

Alta inmunidad Cdv/dt

Perfil bajo (<0,7 mm)

Compatible con refrigeración de doble cara

Compatible con la técnica de montaje en superficie existente

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6646TRPBF, VDSS 80 V, ID 68 A, WDSON

Links relacionados