MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 68 A, WDSON
- Código RS:
- 258-3962
- Referência do fabricante:
- IRF6646TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3962
- Referência do fabricante:
- IRF6646TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | WDSON | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.5mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 89W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado WDSON | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.5mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 89W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La tecnología de silicio de MOSFET de potencia HEXFET de Infineon con encapsulado DirectFETTM avanzado para lograr la resistencia de estado activo más baja en un encapsulado que tiene el tamaño de un SO-8 y solo 0,7 mm de perfil. El encapsulado DirectFET es compatible con las geometrías de diseño existentes utilizadas en aplicaciones de alimentación, equipos de montaje en PCB y técnicas de soldadura de fase de vapor, infrarrojos o convección. Se sigue la nota de aplicación AN-1035 con respecto a los métodos y procesos de fabricación.
MOSFET específicos de aplicación
Ideal para convertidor aislado de alto rendimiento
Conector hembra de interruptor primario
Optimizado para rectificación síncrona
Pérdidas de conducción bajas
Alta inmunidad Cdv/dt
Perfil bajo (<0,7 mm)
Compatible con refrigeración de doble cara
Compatible con la técnica de montaje en superficie existente
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