MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSB104N08NP3GXUSA1, VDSS 80 V, ID 50 A, Mejora, MG-WDSON de 7 pines
- Código RS:
- 214-8967
- Referência do fabricante:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- Fabricante:
- Infineon
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 15 unidades)*
16,395 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 4995 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,093 € | 16,40 € |
| 75 - 135 | 1,038 € | 15,57 € |
| 150 - 360 | 0,994 € | 14,91 € |
| 375 - 735 | 0,951 € | 14,27 € |
| 750 + | 0,885 € | 13,28 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-8967
- Referência do fabricante:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | MG-WDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 42W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 23nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 5.05mm | |
| Altura | 0.7mm | |
| Anchura | 6.35 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado MG-WDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 42W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 23nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 5.05mm | ||
Altura 0.7mm | ||
Anchura 6.35 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La gama Infineon de OptiMOS es líder del mercado en soluciones muy eficientes para generación de energía (por ejemplo, microinversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico). Constan de una gama de transistores MOSFET de bajo consumo en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados.
Inductancia parásita baja
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Refrigeración de doble cara
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 50 A, Mejora, MG-WDSON de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 75 V, ID 15 A, Mejora, MG-WDSON de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSF450NE7NH3XUMA1, VDSS 75 V, ID 15 A, Mejora, MG-WDSON de 6 pines
- MOSFET Infineon, VDSS 25 V, ID 220 A, WDSON
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 90 A, Mejora, WDSON de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSB028N06NN3GXUMA1, VDSS 60 V, ID 90 A, Mejora, WDSON de 7 pines
- MOSFET Infineon IRF6717MTRPBF, VDSS 25 V, ID 220 A, WDSON
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 68 A, WDSON