MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF6727MTRPBF, VDSS 30 V, ID 180 A, WDSON

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*

4,68 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 1370 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de março de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
2 - 182,34 €4,68 €
20 - 481,94 €3,88 €
50 - 981,825 €3,65 €
100 - 1981,685 €3,37 €
200 +1,57 €3,14 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
258-3968
Referência do fabricante:
IRF6727MTRPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

WDSON

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

89W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Tensión directa Vf

0.77V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Corriente nominal alta

Capacidad de refrigeración de doble cara

Baja altura del encapsulado de 0,7 mm

Factor de forma compacto

Alta eficiencia

Respetuoso con el medio ambiente

Links relacionados