MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 180 A, WDSON

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Código RS:
258-3966
Referência do fabricante:
IRF6727MTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

WDSON

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Tensión directa Vf

0.77V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

89W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Corriente nominal alta

Capacidad de refrigeración de doble cara

Baja altura del encapsulado de 0,7 mm

Factor de forma compacto

Alta eficiencia

Respetuoso con el medio ambiente

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