MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 50 A, Mejora, MG-WDSON de 7 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
Código RS:
214-8966
Referência do fabricante:
BSB104N08NP3GXUSA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

MG-WDSON

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.05mm

Anchura

6.35 mm

Altura

0.7mm

Estándar de automoción

No

La gama Infineon de OptiMOS es líder del mercado en soluciones muy eficientes para generación de energía (por ejemplo, microinversor solar), fuente de alimentación (por ejemplo, servidor y telecomunicaciones) y consumo de energía (por ejemplo, vehículo eléctrico). Constan de una gama de transistores MOSFET de bajo consumo en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados.

Inductancia parásita baja

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Refrigeración de doble cara

Links relacionados

Recently viewed