MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- Código RS:
- 258-3853
- Referência do fabricante:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3853
- Referência do fabricante:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 210mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 210mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 en un encapsulado TO 252 DPAK dispone de RDS(on) de 280 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Los productos se suministran con un diodo de cuerpo rápido integrado que garantiza un dispositivo robusto. El diodo de cuerpo rápido y el encapsulado SMD líder del sector reducen el espacio en PCB y, a su vez, la factura de material del cliente. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia muy alta, así como para diseños de máxima eficiencia. Los productos se refieren principalmente a cargadores de muy alta densidad, adaptadores y accionamientos de motor de baja potencia. El CoolMOS PFD7 de 600 V ofrece una eficiencia de carga completa y ligera mejorada sobre las tecnologías CoolMOS P7 y CE MOSFET, lo que da lugar a un aumento de la densidad de potencia de 1,8 W/pulg.3.
Excelente resistencia de conmutación
EMI baja
Amplia cartera de paquetes
Reducción de costes BOM y fabricación sencilla
Robustez y fiabilidad
Fácil de seleccionar las piezas adecuadas para ajustar el diseño
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