MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 6.8 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 168-5910
- Referência do fabricante:
- IPD60R1K0CEAUMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Referência do fabricante:
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | CoolMOS CE | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30, +30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 61W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6.22mm | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.41mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie CoolMOS CE | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30, +30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 61W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6.22mm | ||
Longitud 6.73mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.41mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon CoolMOS™ serie CE, corriente de drenaje continua máxima de 6,8 A, disipación de potencia máxima de 61 W - IPD60R1K0CEAUMA1
Este MOSFET de alto voltaje está diseñado para mejorar el rendimiento en diversas aplicaciones de potencia. Es adecuado para sistemas que requieren una capacidad de conmutación robusta y sirve a sectores como la automatización y la electrónica. La tecnología CoolMOS emplea principios de superunión que garantizan la eficiencia y la fiabilidad en diversas condiciones de funcionamiento.
Características y ventajas
• La reducción de las pérdidas por conmutación y conducción aumenta la eficiencia
• Diodo de cuerpo robusto que soporta la conmutación dura para aumentar la fiabilidad
• Las características de baja carga de puerta simplifican los requisitos del controlador durante el funcionamiento
• La resistencia ESD mejorada favorece la durabilidad en entornos difíciles
• Adecuado para aplicaciones de conmutación dura y suave optimiza el rendimiento
Aplicaciones
• Se utiliza en las etapas de corrección del factor de potencia para una gestión eficaz de la energía
• Empleado en etapas PWM de conmutación dura para una conversión y control de potencia eficientes
• Se integra perfectamente en las etapas de conmutación resonante de varios dispositivos
• Adecuado para múltiples sectores, como iluminación, servidores y equipos de telecomunicaciones
¿Cómo afecta el comportamiento de conmutación a la eficiencia energética durante el funcionamiento?
El comportamiento de conmutación es importante, ya que las menores pérdidas de conmutación contribuyen a una mayor eficiencia global, lo que se traduce en un funcionamiento más frío y una menor generación de calor, lo que favorece la longevidad del sistema.
¿Qué medidas de protección se recomiendan durante la instalación?
Es aconsejable utilizar perlas de ferrita en las puertas o tótems separados para reducir el zumbido y garantizar un funcionamiento estable durante la conmutación.
¿Puede funcionar eficazmente en condiciones extremas de temperatura?
El MOSFET está preparado para funcionar entre -40 °C y +150 °C, lo que permite un funcionamiento fiable en diversas condiciones ambientales.
¿Qué hay que tener en cuenta al conectar varios dispositivos en paralelo?
Para que el funcionamiento en paralelo sea eficaz, deben emplearse técnicas de accionamiento de puerta adecuadas para lograr una distribución equilibrada de la corriente entre los dispositivos y optimizar el rendimiento.
¿Qué implicaciones tienen los valores máximos en el diseño de los sistemas?
Conocer los valores nominales máximos, como la corriente de drenaje continua y los límites de tensión, es crucial en el diseño de sistemas para evitar superar esos umbrales, garantizando el rendimiento y la fiabilidad en las aplicaciones.
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