MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- Código RS:
- 218-3105
- Referência do fabricante:
- IRFR3410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 188,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 15.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,396 € | 1 188,00 € |
| 6000 + | 0,376 € | 1 128,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 218-3105
- Referência do fabricante:
- IRFR3410TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 31A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 31Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Anchura | 2.39 mm | |
| Altura | 6.22mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 31A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 31Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Anchura 2.39 mm | ||
Altura 6.22mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta frecuencia.
Compatible con RoHS
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD60R280PFD7SAUMA1, VDSS 650 V, ID 31 A, Mejora, TO-252
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5305TRPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IRFR5305TRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 31 A, TO-252
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3410TRPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, TO-252