MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

1 050,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Encomendas inferiores a 80,00 € (IVA exc.) têm um custo de 7,00 €.
Em stock
  • 15.000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
3000 - 30000,35 €1 050,00 €
6000 +0,333 €999,00 €

*preço indicativo

Código RS:
218-3105
Referência do fabricante:
IRFR3410TRLPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.22mm

Longitud

6.73mm

Anchura

2.39 mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta frecuencia.

Compatible con RoHS

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Links relacionados

Recently viewed