MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFR3410TRLPBF, VDSS 100 V, ID 31 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 embalagem de 20 unidades)*

13,26 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • Mais 17.640 unidade(s) para enviar a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
20 +0,663 €13,26 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
218-3106
Número do artigo Distrelec:
304-39-421
Referência do fabricante:
IRFR3410TRLPBF
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

31A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

2.39 mm

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

6.22mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon de potencia de canal N sencillo serie HEXFET integrado con encapsulado tipo DPAK (TO-252). Este MOSFET se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta frecuencia.

Compatible con RoHS

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Conmutación rápida

Links relacionados

Recently viewed