MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 650 V, ID 7.2 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

710,00 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 02 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 +0,284 €710,00 €

*preço indicativo

Código RS:
214-9044
Referência do fabricante:
IPD65R1K0CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Serie

CoolMOS CE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

68W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.73mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Altura

2.41mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS es una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alta tensión, diseñada según el principio de superunión (SJ) y pionera de Infineon Technologies. CoolMOS CE es una plataforma optimizada para el rendimiento de precios que permite centrarse en aplicaciones sensibles a costes en mercados de consumo e iluminación al seguir cumpliendo los estándares de eficiencia más altos. La nueva serie proporciona todas las ventajas de un MOSFET Super Junction de conmutación rápida sin sacrificar la facilidad de uso y ofrece la mejor relación de rendimiento rentable disponible en el mercado.

Fácil de usar/conducir

Resistencia a conmutación muy alta

Apto para aplicaciones de grado estándar

Links relacionados