MOSFET, N-Canal Infineon BSD316SNH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, US de 6 pines
- Código RS:
- 258-0699
- Referência do fabricante:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-0699
- Referência do fabricante:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | BSD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 160mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Tensión directa Vf | 800mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Altura | 900μm | |
| Longitud | 2mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado US | ||
Serie BSD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 160mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Tensión directa Vf 800mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Anchura 1.25mm | ||
Altura 900μm | ||
Longitud 2mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los fabricantes industriales y de automoción de MOSFET de señal pequeña de canal N de Infineon ofrecen una amplia gama de MOSFET de señal pequeña de canal N y P que cumplen y superan los requisitos de calidad más altos en encapsulados estándar del sector bien conocidos. Con niveles inigualables de fiabilidad y capacidad de fabricación, estos componentes son ideales para una amplia variedad de aplicaciones, incluida iluminación de LED, ADAS, unidades de control de cuerpo, SMPS y control de motor.
Modo de mejora
Nivel lógico
Valor nominal de avalancha
Conmutación rápida
Valor nominal Dv/dt
El bajo RDS(on) proporciona mayor eficiencia y prolonga la vida útil de la batería
Los encapsulados pequeños ahorran espacio en PCB
Mejor calidad y fiabilidad de su clase
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