MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, US de 6 pines
- Código RS:
- 214-4331
- Referência do fabricante:
- BSD214SNH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
177,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 6000 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,059 € | 177,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,056 € | 168,00 € |
| 15000 + | 0,054 € | 162,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 214-4331
- Referência do fabricante:
- BSD214SNH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 250mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.35mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1mm | |
| Longitud | 2.02mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Encapsulado US | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 250mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.35mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1mm | ||
Longitud 2.02mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon OptiMOS™2 de transistor de señal pequeña tiene certificación AEC Q101.
Canal N.
Modo de mejora
Nivel Super Logic (valor nominal de 2,5 V)
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon BSD214SNH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -1.5 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon BSV236SPH6327XTSA1, VDSS 40 V, ID -1.5 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSD316SNH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, US de 6 pines
- MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 20 V, ID 0.95 A, US, Mejora de 6 pines, 2
- MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal BSD235CH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 0.95 A, US, Mejora de 6 pines, 2
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -0.39 A, Mejora, US de 6 pines