MOSFET, N-Canal Infineon BSD214SNH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:
214-4333
Referência do fabricante:
BSD214SNH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

OptiMOS 2

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

250mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.8nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12V

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.02mm

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.35mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Infineon OptiMOS™2 de transistor de señal pequeña tiene certificación AEC Q101.

Canal N.

Modo de mejora

Nivel Super Logic (valor nominal de 2,5 V)

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