MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 1.4 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- Código RS:
- 166-0980
- Referência do fabricante:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
168,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 30.000 unidade(s) para enviar a partir do dia 02 de novembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,056 € | 168,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,054 € | 162,00 € |
| 15000 + | 0,05 € | 150,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 166-0980
- Referência do fabricante:
- BSS816NWH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Encapsulado | SC-70 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 240mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -8V, +8V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 800μm | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Longitud | 2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Encapsulado SC-70 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 240mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -8V, +8V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 800μm | ||
Anchura 1.25mm | ||
Longitud 2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- MY
MOSFET de la serie OptiMOS 2 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 20 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,4 A - BSS816NWH6327XTSA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N compacto diseñado para conmutación de baja tensión en sistemas electrónicos industriales y de automoción. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un tamaño reducido y un manejo de potencia modesto.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido de 240 mΩ reduce las pérdidas por conducción y el calor
• La corriente de drenaje máxima de 1,4 A permite la conmutación de carga moderada
• La tensión nominal de drenaje-fuente de 20 V admite carriles de automoción típicos
• La carga de puerta de 0,6 nC permite un accionamiento de puerta más rápido y una pérdida de conmutación reducida
• La disipación de potencia de 500 mW permite un funcionamiento sostenido con carga ligera
• El límite de fuente de puerta de 8 V protege contra tensiones de accionamiento excesivas
• La corriente de drenaje máxima de 1,4 A permite la conmutación de carga moderada
• La tensión nominal de drenaje-fuente de 20 V admite carriles de automoción típicos
• La carga de puerta de 0,6 nC permite un accionamiento de puerta más rápido y una pérdida de conmutación reducida
• La disipación de potencia de 500 mW permite un funcionamiento sostenido con carga ligera
• El límite de fuente de puerta de 8 V protege contra tensiones de accionamiento excesivas
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación en módulos de sensores de automoción
• Ideal para conmutación de carga en circuitos auxiliares de 12 V
• Se utiliza con periféricos de gestión de batería que requieren un tamaño pequeño
• Puede utilizarse para el control de potencia de nivel de señal en sistemas de infoentretenimiento
• Aplicable a etapas de puerta de accionamiento de motor compactas para corrientes bajas
• Ideal para conmutación de carga en circuitos auxiliares de 12 V
• Se utiliza con periféricos de gestión de batería que requieren un tamaño pequeño
• Puede utilizarse para el control de potencia de nivel de señal en sistemas de infoentretenimiento
• Aplicable a etapas de puerta de accionamiento de motor compactas para corrientes bajas
¿Qué encapsulado es adecuado para diseños de placas de alta densidad?
Se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SC-70 que minimiza el área de la placa y admite la colocación automatizada.
¿Cómo funciona a temperaturas ambiente elevadas?
El dispositivo está especificado para funcionar desde -40 °C hasta 175 °C, lo que permite su uso en entornos térmicos hostiles típicos de ubicaciones de automoción con capota inferior.
¿Qué rango de tensión de accionamiento debe aplicarse a la puerta?
La tensión máxima permitida de puerta a fuente es de 8 V, por lo que los controladores de puerta deben seleccionarse para permanecer dentro de este límite.
¿Cómo equilibra el dispositivo la velocidad de conmutación y la energía de accionamiento de la puerta?
Con una carga de puerta típica de 0,6 nC, requiere una energía relativamente baja para conmutar, lo que ayuda a la eficiencia en sistemas con transiciones repetitivas.
Links relacionados
- MOSFET, N-Canal Infineon BSS816NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.4 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSS214NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSS214NWH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 1.5 A, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 280 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, N-Canal Infineon BSS138WH6433XTMA1, VDSS 60 V, ID 280 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 310 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 150 mA, Mejora, SC-70 de 3 pines