MOSFET, N-Canal Infineon BSS316NH6327XTSA1, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 145-8833
- Referência do fabricante:
- BSS316NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (3000 unidades, em rolo de 3000)*
237,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 29 de março de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 0,079 € | 237,00 € |
| 6000 - 12000 | 0,075 € | 225,00 € |
| 15000 + | 0,071 € | 213,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 145-8833
- Referência do fabricante:
- BSS316NH6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20, +20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 2.9mm | |
| Anchura | 1.3mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20, +20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 2.9mm | ||
Anchura 1.3mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de la serie OptiMOS 2 de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,4 A - BSS316NH6327XTSA1
Este MOSFET de canal n es un transistor de conmutación de montaje en superficie diseñado para la gestión de potencia de baja tensión en conjuntos electrónicos compactos. Funciona como un dispositivo de modo de mejora adecuado para tareas de conmutación y control en contextos de automoción e industriales, con una tensión nominal de fuente de puerta que permite márgenes de accionamiento robustos para circuitos de control típicos.
Características y ventajas:
• La baja resistencia de encendido proporciona una conducción eficiente y pérdidas reducidas
• El valor nominal de drenaje-fuente de 30 V admite sistemas de baja tensión comunes
• La capacidad de corriente continua de 1,4 A soporta cargas moderadas
• La carga de puerta típica de 0,6 nC permite transiciones de conmutación rápidas
• La disipación de potencia máxima de 500 mW se adapta a presupuestos térmicos reducidos
• La certificación AEC-Q101 proporciona criterios de fiabilidad de nivel automovilístico
• El valor nominal de drenaje-fuente de 30 V admite sistemas de baja tensión comunes
• La capacidad de corriente continua de 1,4 A soporta cargas moderadas
• La carga de puerta típica de 0,6 nC permite transiciones de conmutación rápidas
• La disipación de potencia máxima de 500 mW se adapta a presupuestos térmicos reducidos
• La certificación AEC-Q101 proporciona criterios de fiabilidad de nivel automovilístico
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de carga de automoción de baja tensión
• Ideal para la conversión de punto de carga en electrónica compacta
• Se utiliza con sistemas alimentados por batería que requieren un factor de forma pequeño
• Se puede utilizar para el control de puerta de accionamiento de motor en actuadores pequeños
• Adecuado para la gestión de potencia en placas densamente pobladas
• Ideal para la conversión de punto de carga en electrónica compacta
• Se utiliza con sistemas alimentados por batería que requieren un factor de forma pequeño
• Se puede utilizar para el control de puerta de accionamiento de motor en actuadores pequeños
• Adecuado para la gestión de potencia en placas densamente pobladas
¿Qué rango térmico puede soportar durante el funcionamiento?
Está especificado para funcionar desde -55 °C hasta 150 °C, lo que permite su uso en entornos de gran temperatura.
¿Cuántas conexiones eléctricas presenta en la placa?
Utiliza una configuración de tres contactos compatible con patrones de tierra SOT-23 estándar para montaje en superficie.
¿Qué tensión máxima debe aplicarse entre la puerta y la fuente?
La tensión nominal de puerta a fuente es de 20 V, lo que define la amplitud de accionamiento de puerta máxima segura.
¿Qué consideraciones sobre la altura y el tamaño del paquete afectan al diseño?
El encapsulado tiene un perfil bajo con una altura de 0,9 mm y un tamaño de huella rectangular de 2,9 x 1,3 mm para diseños de PCB compactos.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex ZXM61N03FTA, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NDS351AN, VDSS 30 V, ID 1.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.18 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 0.3 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines