MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -5.1 A, PQFN de 6 pines
- Código RS:
- 257-9391
- Referência do fabricante:
- IRFHS9351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-9391
- Referência do fabricante:
- IRFHS9351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -5.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.9nC | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2mm | |
| Anchura | 2mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -5.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.9nC | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2mm | ||
Anchura 2mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFHS de Infineon es un mosfet de potencia IRFET de doble canal P de -30 V en un encapsulado PQFN 2x2. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
RDS bajo (encendido) en un encapsulado pequeño
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