MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -30 V, ID -5.1 A, PQFN de 6 pines
- Código RS:
- 257-9391
- Referência do fabricante:
- IRFHS9351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 257-9391
- Referência do fabricante:
- IRFHS9351TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -5.1A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -30V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 290mΩ | |
| Tensión directa Vf | -1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.4W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 2mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -5.1A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -30V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 290mΩ | ||
Tensión directa Vf -1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.4W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 2mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La serie IRFHS de Infineon es un mosfet de potencia IRFET de doble canal P de -30 V en un encapsulado PQFN 2x2. La potente familia de mosfet de potencia IRFET está optimizada para RDS (encendido) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
RDS bajo (encendido) en un encapsulado pequeño
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFHS9351TRPBF, VDSS -30 V, ID -5.1 A, PQFN de 6 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 22 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 85 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 159 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 3.4 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3.6 A, PQFN