MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLHS6276TRPBF, VDSS 20 V, ID 3.4 A, PQFN
- Código RS:
- 257-5826
- Referência do fabricante:
- IRLHS6276TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 10 unidades)*
4,84 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- Mais 3570 unidade(s) para enviar a partir do dia 07 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,484 € | 4,84 € |
| 100 - 240 | 0,46 € | 4,60 € |
| 250 - 490 | 0,412 € | 4,12 € |
| 500 - 990 | 0,292 € | 2,92 € |
| 1000 + | 0,238 € | 2,38 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 257-5826
- Referência do fabricante:
- IRLHS6276TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 9.6W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 2mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 9.6W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 2mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
RDS(on) bajo en encapsulado pequeño
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 3.4 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 49 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 159 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 22 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 40 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 3.6 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 117 A, PQFN
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 3.2 A, PQFN