MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263
- Código RS:
- 256-7412
- Referência do fabricante:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7412
- Referência do fabricante:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.033Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los mosfet de potencia de la serie E de Vishay Semiconductor tienen una baja cifra de mérito (FOM) Ron x Qg y una baja capacitancia de entrada (Ciss).
Pérdidas de conmutación y conducción reducidas
Carga de puerta ultrabaja (Qg)
Energía de avalancha (UIS)
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