MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHB135N65S-GE3, VDSS 650 V, ID 27 A, N, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
878-897
Referência do fabricante:
SIHB135N65S-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

S

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.121Ω

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

255W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.4V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de bajo consumo. Diseñado específicamente para una gestión de potencia exigente, garantiza pérdidas mínimas durante el funcionamiento, lo que mejora la fiabilidad y la eficiencia del sistema en general.

Utiliza la última tecnología de la serie SF para una eficiencia de vanguardia

Muestra una baja cifra de mérito, lo que reduce significativamente la disipación de potencia

Ofrece una capacitancia efectiva más baja para mejorar el rendimiento de conmutación

Energía de avalancha clasificada para resistir condiciones hostiles

La configuración única optimiza el espacio y simplifica el diseño

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