MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHB135N65S-GE3, VDSS 650 V, ID 27 A, N, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 878-897
- Referência do fabricante:
- SIHB135N65S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 unidade)*
1,62 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 01 de fevereiro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,62 € |
| 10 - 99 | 1,08 € |
| 100 - 499 | 0,91 € |
| 500 - 999 | 0,88 € |
| 1000 + | 0,84 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 878-897
- Referência do fabricante:
- SIHB135N65S-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | S | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Montaje superficial | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.121Ω | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 255W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 51nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie S | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Montaje superficial | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.121Ω | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 255W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 51nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de Vishay ofrece un rendimiento excepcional para aplicaciones de bajo consumo. Diseñado específicamente para una gestión de potencia exigente, garantiza pérdidas mínimas durante el funcionamiento, lo que mejora la fiabilidad y la eficiencia del sistema en general.
Utiliza la última tecnología de la serie SF para una eficiencia de vanguardia
Muestra una baja cifra de mérito, lo que reduce significativamente la disipación de potencia
Ofrece una capacitancia efectiva más baja para mejorar el rendimiento de conmutación
Energía de avalancha clasificada para resistir condiciones hostiles
La configuración única optimiza el espacio y simplifica el diseño
Links relacionados
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHP135N65S-GE3, VDSS 650 V, ID 27 A, N, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHB240N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB055N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 46 A, Reducción, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB120N60E-T5-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay SIHB120N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET de canal N Vishay SUM90140E-GE3, VDSS 200 V, ID 90 A, TO-263 de 3 pines, config. Canal N
