MOSFET, Canal N-Canal Vishay SIHB240N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
735-205
Referência do fabricante:
SIHB240N65E-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

16A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

E Series

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.24Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Disipación de potencia máxima Pd

147W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
IL

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