MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB120N60E-T5-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 228-2845
- Referência do fabricante:
- SIHB120N60E-T5-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 2 unidades)*
12,29 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 792 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 6,145 € | 12,29 € |
| 20 - 98 | 5,96 € | 11,92 € |
| 100 - 198 | 5,71 € | 11,42 € |
| 200 - 498 | 5,405 € | 10,81 € |
| 500 + | 5,10 € | 10,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 228-2845
- Referência do fabricante:
- SIHB120N60E-T5-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | E | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 120mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 179W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie E | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 120mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 179W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de la serie E de Vishay reduce las pérdidas de conducción y conmutación.
Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja
Baja capacitancia efectiva (Co(er))
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB120N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB055N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 46 A, Reducción, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHFBC30AS-GE3, VDSS 600 V, ID 3.6 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-263 de 3 pines