MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB24N65E-GE3, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263
- Código RS:
- 256-7413
- Referência do fabricante:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 unidade)*
5,89 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 979 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,89 € |
| 10 - 24 | 5,30 € |
| 25 - 99 | 5,03 € |
| 100 - 499 | 4,43 € |
| 500 + | 3,82 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 256-7413
- Referência do fabricante:
- SIHB24N65E-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 24A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.033Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 24A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Los mosfet de potencia de la serie E de Vishay Semiconductor tienen una baja cifra de mérito (FOM) Ron x Qg y una baja capacitancia de entrada (Ciss).
Pérdidas de conmutación y conducción reducidas
Carga de puerta ultrabaja (Qg)
Energía de avalancha (UIS)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB085N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB055N60EF-GE3, VDSS 650 V, ID 46 A, Reducción, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB120N60E-T5-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB120N60E-T1-GE3, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 46 A, Reducción, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 650 V, ID 25 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIHB15N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 15 A, TO-263