MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 125 A, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
252-0292
Referência do fabricante:
SIZF5300DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

125A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAIR 3 x 3FS

Serie

SiZF5300DT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

12

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00351Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

56.8W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.5nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.3mm

Altura

3.3mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen V

Canal N doble simétrico

Tecnología flip chip de diseño térmico óptimo

MOSFET de lado alto y lado bajo de forma optimizada

Combinación para un ciclo de trabajo del 50 %

RDS Optimizado - Qg y RDS - FOM Qgd que aumenta la eficiencia

Para desplazamiento de alta frecuencia

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