MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIZF5300DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 125 A, PowerPAIR 3 x 3FS de 12 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 252-0293
- Referência do fabricante:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 252-0293
- Referência do fabricante:
- SIZF5300DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 125A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAIR 3 x 3FS | |
| Serie | SiZF5300DT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00351Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 56.8W | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3 mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 125A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAIR 3 x 3FS | ||
Serie SiZF5300DT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00351Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 56.8W | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3 mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen V
Canal N doble simétrico
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MOSFET de lado alto y lado bajo de forma optimizada
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Para desplazamiento de alta frecuencia
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