MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 40 V, ID 48 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
200-6853
Referência do fabricante:
SiZ240DT-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

48A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

PowerPAIR de 3 x 3S

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00805Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15.2nC

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

33W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.8mm

Anchura

3.4 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

3.4mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

El Vishay SiZ240DT-T1-GE3 es un MOSFET de canal N doble 40V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Etapa de potencia de medio puente MOSFET integrada

100 % Rg y prueba UIS

La relación QGS/QGS optimizada mejora las características de conmutación

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