MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 38 A, PowerPAIR de 3 x 3FDC, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 200-6874
- Referência do fabricante:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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|---|---|---|
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*preço indicativo
- Código RS:
- 200-6874
- Referência do fabricante:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Encapsulado | PowerPAIR de 3 x 3FDC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.01887Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.75mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Encapsulado PowerPAIR de 3 x 3FDC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.01887Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.75mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SiZ250DT-T1-GE3 es un MOSFET de canal N doble 60V (D-S).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
100 % Rg y prueba UIS
La relación QGS/QGS optimizada mejora la conmutación
Características
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