MOSFET Vishay, N-Canal SiZ250DT-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 38 A, PowerPAIR de 3 x 3FDC, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 200-6874
- Referência do fabricante:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 25 unidades)*
30,775 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 04 de outubro de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 1,231 € | 30,78 € |
| 125 - 225 | 1,01 € | 25,25 € |
| 250 - 600 | 0,923 € | 23,08 € |
| 625 - 1225 | 0,80 € | 20,00 € |
| 1250 + | 0,739 € | 18,48 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 200-6874
- Referência do fabricante:
- SiZ250DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 38A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAIR de 3 x 3FDC | |
| Serie | TrenchFET Gen IV | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.01887Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Altura | 0.75mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 38A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAIR de 3 x 3FDC | ||
Serie TrenchFET Gen IV | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.01887Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.3mm | ||
Longitud 3.3mm | ||
Altura 0.75mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El Vishay SiZ250DT-T1-GE3 es un MOSFET de canal N doble 60V (D-S).
MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV
100 % Rg y prueba UIS
La relación QGS/QGS optimizada mejora la conmutación
Características
Links relacionados
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ250DT-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 38 A, PowerPAIR de 3 x 3FDC, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ340BDT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 69.3 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ254DT-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 32.5 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIZ256DT-T1-GE3, VDSS 70 V, ID 31.8 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ240DT-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 48 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SIZ270DT-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 19.1 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZF906BDT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 257 A, PowerPAIR 6 x 5F, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZF928DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 258 A, PowerPAIR 6 x 5F, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble