MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 178-3703
- Referência do fabricante:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
1 056,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,352 € | 1 056,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-3703
- Referência do fabricante:
- SiZ350DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | TrenchFET | |
| Encapsulado | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 16.7W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Altura | 0.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 3 mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie TrenchFET | ||
Encapsulado PowerPAIR 3 x 3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 16.7W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Altura 0.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 3 mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
Links relacionados
- MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SiZ350DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8
- MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET de potencia Vishay Siliconix, Tipo N-Canal SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 69.7 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 9 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ340ADT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 69.7 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 9 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZ340BDT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 69.3 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config.
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 69.3 A, PowerPAIR de 3 x 3S, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- MOSFET Vishay, Tipo N-Canal SiZF906BDT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 257 A, PowerPAIR 6 x 5F, Mejora de 8 pines, 2, config.
