MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
249-6901
Referência do fabricante:
IPB35N10S3L26ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El OptiMOS de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. El canal de funcionamiento es N. Cuenta con la certificación AEC Q101. MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo. Producto ecológico (conforme con RoHS) y se ha probado 100% con avalancha.

Temperaturas de funcionamiento: 175°C

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