MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TO-263
- Código RS:
- 259-1547
- Referência do fabricante:
- IPB100N04S4H2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*
886,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 21 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,886 € | 886,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 259-1547
- Referência do fabricante:
- IPB100N04S4H2ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | iPB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie iPB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El Infineon optimos-T2 de 40 V aborda todo tipo de control de motor EPS, motores trifásicos y de puente H, control de ventilador HVAC, bombas eléctricas, etc. especialmente en combinación con control PWM. Por lo tanto, los productos optimos-T2 de 40 V basados en la tecnología avanzada de trinchera de Infineon serán el punto de referencia para la próxima generación de aplicaciones de automoción en eficiencia energética, reducción de CO2 y unidades eléctricas.
Modo de mejora de canal N
Certificación AEC
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Producto ecológico (conforme con RoHS)
Rds(on) ultrabajo
100 % probado contra avalanchas
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB100N04S4H2ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 160 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB120N04S402ATMA1, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB160N04S4H1ATMA1, VDSS 40 V, ID 160 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 80 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
