MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB100N12S305ATMA1, VDSS 120 V, ID 100 A, Mejora, TO-263

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 unidade)*

3,29 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 860 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
1 - 93,29 €
10 - 242,96 €
25 - 492,76 €
50 - 992,58 €
100 +2,40 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
258-3796
Referência do fabricante:
IPB100N12S305ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

300W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

139nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-T de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal N. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Certificación AEC

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Links relacionados