MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB100N04S4H2ATMA1, VDSS 40 V, ID 100 A, Mejora, TO-263

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*

9,26 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Em stock
  • 980 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
5 - 201,852 €9,26 €
25 - 451,686 €8,43 €
50 - 1201,574 €7,87 €
125 - 2451,462 €7,31 €
250 +1,35 €6,75 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
259-1548
Referência do fabricante:
IPB100N04S4H2ATMA1
Fabricante:
Infineon
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Infineon optimos-T2 de 40 V aborda todo tipo de control de motor EPS, motores trifásicos y de puente H, control de ventilador HVAC, bombas eléctricas, etc. especialmente en combinación con control PWM. Por lo tanto, los productos optimos-T2 de 40 V basados en la tecnología avanzada de trinchera de Infineon serán el punto de referencia para la próxima generación de aplicaciones de automoción en eficiencia energética, reducción de CO2 y unidades eléctricas.

Modo de mejora de canal N

Certificación AEC

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

Temperatura de funcionamiento de 175 °C

Producto ecológico (conforme con RoHS)

Rds(on) ultrabajo

100 % probado contra avalanchas

Links relacionados