MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263
- Código RS:
- 258-3802
- Referência do fabricante:
- IPB180N10S403ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 258-3802
- Referência do fabricante:
- IPB180N10S403ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 108nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 108nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal N. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Certificación AEC
MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico
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