MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 11 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 243-9302
- Referência do fabricante:
- IRL60HS118
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 243-9302
- Referência do fabricante:
- IRL60HS118
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N IRL60HS118 de Infineon está disponible en tres clases de tensión diferentes (60 V, 80 V y 100 V). Los nuevos MOSFET de potencia de nivel lógico de Infineon son muy adecuados para aplicaciones de carga inalámbrica, telecomunicaciones y adaptador. El encapsulado PQFN 2x2 es especialmente adecuado para aplicaciones críticas de conmutación de alta velocidad y factor de forma. Permite una mayor densidad de potencia y una eficiencia mejorada, así como un ahorro de espacio significativo.
Diseños de mayor densidad de potencia
Frecuencia de conmutación superior
Utiliza chiop OptiMOSTM5
Reduce el número de piezas dondequiera que estén disponibles fuentes de alimentación de 5 V
Se acciona directamente desde microcontroladores (conmutación lenta)
Reducciones de costes del sistema
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