MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 11 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 243-9300
- Referência do fabricante:
- IRL100HS121
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 243-9300
- Referência do fabricante:
- IRL100HS121
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 11A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | IRFH | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.7mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 11A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie IRFH | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.7mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N IRL100HS121 de Infineon está disponible en tres clases de tensión diferentes (60 V, 80 V y 100 V). Los nuevos MOSFET de potencia de nivel lógico de Infineon son muy adecuados para aplicaciones de carga inalámbrica, telecomunicaciones y adaptador. El encapsulado PQFN 2x2 es especialmente adecuado para aplicaciones críticas de conmutación de alta velocidad y factor de forma. Permite una mayor densidad de potencia y una eficiencia mejorada, así como un ahorro de espacio significativo.
FOM más bajo (R DS(on) x Q g/gd)
Q g, C oss y Q rr optimizados para conmutación rápida
Compatibilidad de nivel lógico
Encapsulado pequeño PQFN de 2 x 2 mm
Diseños de mayor densidad de potencia
Frecuencia de conmutación más alta
Utiliza chip OptiMOSTM5
Reducción de recuento de piezas dondequiera que estén disponibles fuentes de alimentación de 5 V
Accionado directamente desde microcontroladores (conmutación lenta)
Reducción de costes del sistema
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