MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS -55 V, ID -3.4 A, SOIC de 8 pines, 2
- Código RS:
- 243-9284
- Referência do fabricante:
- AUIRF7342QTR
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 243-9284
- Referência do fabricante:
- AUIRF7342QTR
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | -3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | -55V | |
| Encapsulado | SOIC | |
| Número de pines | 8 | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | -55V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 26nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld -3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds -55V | ||
Encapsulado SOIC | ||
Número de pines 8 | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf -55V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 26nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N AUIRF7342QTR de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este diseño celular de MOSFET de potencia HEXFET® utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Esta ventaja combinada con la velocidad de conmutación rápida y el diseño de dispositivo robusto por los que son conocidos los MOSFET de potencia HEXFET, proporciona al diseñador un dispositivo extremadamente eficiente y fiable para su uso en automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología planar avanzada
Baja resistencia de conexión
Accionamiento de puerta de nivel lógico
MOSFET de canal P doble
Valor nominal dv/dt dinámico
Temperatura de funcionamiento de 150 °C
Conmutación rápida
Valor nominal de avalancha total
Sin plomo, conformidad con RoHS
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