MOSFET Infineon, Tipo P-Canal, VDSS 55 V, ID 3.4 A, SOIC, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado

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Código RS:
124-8750
Referência do fabricante:
IRF7342TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

170mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

26nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Tensión directa Vf

-1.2V

Configuración de transistor

Aislado

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

4 mm

Longitud

5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.5mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7342TRPBF


Este MOSFET de potencia está destinado a la gestión eficiente de la energía en diversos dispositivos electrónicos. Con una configuración de canal P, es adecuado para operaciones de conmutación y amplificación de alto rendimiento. Sus sólidas especificaciones satisfacen los requisitos esenciales de ingenieros y diseñadores de los sectores de la automatización y la electricidad.

Características y ventajas


• Corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A

• Tolerancia de tensión de la fuente de drenaje de hasta 55 V

• El diseño de montaje en superficie permite instalaciones sencillas

• La baja resistencia máxima de drenaje-fuente mejora la eficiencia energética

• Tensión umbral de puerta de 1 V para una conmutación fiable

Aplicaciones


• Circuitos de gestión de potencia para un mejor aprovechamiento de la energía

• Equipos de automatización que requieren una gran capacidad de conmutación

• Adecuado para sistemas de control de motores

• Utilizados en convertidores de potencia para electrónica

• Común en los sistemas de gestión de baterías

¿Cuáles son los límites térmicos de funcionamiento?


Funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.

¿Cómo mejora este componente la eficiencia del circuito?


El bajo valor de Rds(on) reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando así la eficiencia global del circuito.

¿Puede este MOSFET manejar corrientes pulsadas?


Sí, puede admitir corrientes de drenaje pulsadas de hasta 27 A, adecuadas para condiciones transitorias.

¿En qué tipo de envase está disponible?


Está disponible en un encapsulado de montaje superficial SO-8, lo que optimiza la flexibilidad de diseño y los procesos de fabricación.

¿Existe un voltaje de puerta específico para un rendimiento óptimo?


Lo ideal es que la tensión entre la puerta y la fuente se mantenga en ±20 V para obtener un rendimiento y una longevidad óptimos del dispositivo.

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