MOSFET Infineon IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código RS:: 826-8901
Referência do fabricante:: IRF7342TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRF7342TRPBF, VDSS 55 V, ID 3,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

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Código RS:: 826-8901
Referência do fabricante:: IRF7342TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A, disipación de potencia máxima de 2 W - IRF7342TRPBF

Este MOSFET de potencia está destinado a la gestión eficiente de la energía en diversos dispositivos electrónicos. Con una configuración de canal P, es adecuado para operaciones de conmutación y amplificación de alto rendimiento. Sus sólidas especificaciones satisfacen los requisitos esenciales de ingenieros y diseñadores de los sectores de la automatización y la electricidad.

Características y ventajas

• Corriente de drenaje continua máxima de 3,4 A
• Tolerancia de tensión de la fuente de drenaje de hasta 55 V
• El diseño de montaje en superficie permite instalaciones sencillas
• La baja resistencia máxima de drenaje-fuente mejora la eficiencia energética
• Tensión umbral de puerta de 1 V para una conmutación fiable

Aplicaciones

• Circuitos de gestión de potencia para un mejor aprovechamiento de la energía
• Equipos de automatización que requieren una gran capacidad de conmutación
• Adecuado para sistemas de control de motores
• Utilizados en convertidores de potencia para electrónica
• Común en los sistemas de gestión de baterías

¿Cuáles son los límites térmicos de funcionamiento?

Funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza su fiabilidad en diversos entornos.

¿Cómo mejora este componente la eficiencia del circuito?

El bajo valor de Rds(on) reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento, mejorando así la eficiencia global del circuito.

¿Puede este MOSFET manejar corrientes pulsadas?

Sí, puede admitir corrientes de drenaje pulsadas de hasta 27 A, adecuadas para condiciones transitorias.

¿En qué tipo de envase está disponible?

Está disponible en un encapsulado de montaje superficial SO-8, lo que optimiza la flexibilidad de diseño y los procesos de fabricación.

¿Existe un voltaje de puerta específico para un rendimiento óptimo?

Lo ideal es que la tensión entre la puerta y la fuente se mantenga en ±20 V para obtener un rendimiento y una longevidad óptimos del dispositivo.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	3,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	HEXFET
Tipo de Encapsulado	SOIC
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	170 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2 W
Configuración de transistor	Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Longitud	5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	26 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	2
Ancho	4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.5mm
Tensión de diodo directa	1.2V