MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 239-5543
- Referência do fabricante:
- STP80N240K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 239-5543
- Referência do fabricante:
- STP80N240K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Longitud 28.9mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión STMicroelectronics se ha diseñado usando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia STMicroelectronics en tecnología de súper unión. El resultado es la mejor resistencia de conexión por área y carga de puerta de su clase para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia. Este MOSFET se recomienda para topología de retorno, aplicaciones basadas en iluminación de LED, cargadores y adaptadores. Proporcionan una mayor densidad de potencia, lo que reduce el coste de la lista de materiales y el tamaño de la placa.
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