MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N240K6, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 239-5544
- Referência do fabricante:
- STP80N240K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
26,64 €
Adicione 20 unidades para obter entrega gratuita
Em stock
- 20 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 5,328 € | 26,64 € |
| 10 - 20 | 5,062 € | 25,31 € |
| 25 - 45 | 4,556 € | 22,78 € |
| 50 + | 4,528 € | 22,64 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 239-5544
- Referência do fabricante:
- STP80N240K6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 140W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 140W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 28.9mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia de canal N de muy alta tensión STMicroelectronics se ha diseñado usando la última tecnología MDmesh K6 basada en 20 años de experiencia STMicroelectronics en tecnología de súper unión. El resultado es la mejor resistencia de conexión por área y carga de puerta de su clase para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y alta eficiencia. Este MOSFET se recomienda para topología de retorno, aplicaciones basadas en iluminación de LED, cargadores y adaptadores. Proporcionan una mayor densidad de potencia, lo que reduce el coste de la lista de materiales y el tamaño de la placa.
El mejor área RDS(on) x del mundo
Mejor FOM en todo el mundo (cifra de mérito)
Carga de compuerta ultrabaja
100 % a prueba de avalancha
Protección Zener
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP65N045M9, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP60N043DM9, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 20 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines