MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP65N045M9, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 248-9689
- Referência do fabricante:
- STP65N045M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 unidade)*
7,70 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 455 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 1 + | 7,70 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 248-9689
- Referência do fabricante:
- STP65N045M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | UL | |
| Longitud | 28.9mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Altura | 4.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie STP | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares UL | ||
Longitud 28.9mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Altura 4.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El producto de STMicroelectronics es un MOSFET de potencia de canal N basado en la tecnología MDmesh DM9 de superconexión más innovadora, adecuado para MOSFET de media o alta tensión con RDS muy bajo por área acoplado con un diodo de recuperación rápida. La tecnología DM9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El producto resultante tiene uno de los valores de carga de puerta y resistencia de conexión más bajos entre todos los MOSFET de potencia de superconexión de conmutación rápida basados en silicio, por lo que es especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia excepcional.
Mejor FOM RDS en Qg del mundo entre los dispositivos basados en silicio
Calificación VDSS superior
Capacidad dv/dt superior
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de accionar
Probado 100 por ciento para avalancha
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP80N240K6, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP60N043DM9, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT018W65G3-4AG, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics SCT018H65G3AG, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, H2PAK-7 de 7 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD86N3LH5, VDSS 650 V, ID 55 A, Mejora, TO-252 de 3 pines